BFS 481 E6327
Hersteller Produktnummer:

BFS 481 E6327

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BFS 481 E6327-DG

Beschreibung:

RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Inventar:

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BFS 481 E6327 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
8GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen
20dB
Leistung - Max
175mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT363-PO
Basis-Produktnummer
BFS 481

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BFS 481 E6327
HTML-Datenblatt
BFS 481 E6327-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BFS481E6327
BFS481E6327XT
SP000011084
BFS 481 E6327-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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